,bjt饱和导通输出电压是多少

接口设计中，反射衰减通常在高频情况下变差，这是因为带损耗的传输线反射同频率相关，这种情况下，尽量缩短PCB走线就显得异常重要。稳压二极管就是一种稳定电路工作电压的二极管，由于特殊的内部结构特点，适用反向击穿的工作状态，只要限制电流的大小，这种击穿是非破坏性的，PN结具有一种很好的数学模型：开关模型二极管诞生了再来一个PN结，三极管诞生了。

在高密度的场合下，由于收发信号挨在一起，很容易发生串扰，这在布线时要遵守3W原则。即相邻PCB走线的中心线间距要大于PCB线宽的3倍，在插卡设备，接插件连接的位置，要有许多接地针，提供良好的射频回路。双极型管是电流控制器件，通过基极较小的电流控制较大的集电极电流MOS管是电压控制器件，通过栅极电压控制源漏间导通电阻。

三极管基极在控制电路中看作一个二极管，电压高时钳制在0.7或0.3v，为饱和状态，主要看电流，电流较小，不同型号电流值差异很大，放大倍数也不尽相同。aa视三极管的材料与工作状态不同，基极的电压各不相同：硅材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.5～0.7V，处于正向偏置。锗材料的三极管，工作在放大状态或饱和导通状态时的基极电压为0.1～0.3V，处于正向偏置。

你的理解基本正确。1、当A点输入3.6V时（B、C点高电位），发射极的二极管承担0.7V，所以T1基极应该为4.3V，这里T1没有Vcc。因为T1集电极直接与T2基极连接，T1的CE间没有正向通路，也没有正向Ic，那么T1的CE间电压降为0，所以当电压到达T2时基极是3.6V。2、如果T1集电极（T2基极）与Vcc间连接有负载（通路），那T1为集电极饱和导通状态，T1的CE间的电压变为0.3V（其数值为T1饱和导通后的体电阻乘以T1集电极Ic）。

是的，饱和肯定是导通了！4、三极管在CE间Vcc0时可以等效成两个反接的二极管。5、当A、B、C任一点的电位是低电平时，T1都会导通，因为T1是多发射极三极管，相当于3个基极并联、3个集电极并联，而3个发射极分开的连接方式，只要3个发射极任一个发射极低电平就会将T1的集电极拉成低电平。而当只有A、B、C端子都是高电平的时候，晶体管T1才会截止。

分两种情况：1.饱和导通，VCE0相当于开关接通。2.管子在线性区的放大状态时的导通，有如下关系：电源电压(IC*RC)+VCEVCE随着集电极电流IC的变化而变化，其变化幅度在0电源电压之间，三极管导通时，C、E间电压可低至0.1V，但不可能为“0”。这是无触点开关的小缺点。