电源电压tdd和源漏极电压vds有什么区别?

电源电压vdd和源漏电压vds有什么区别？对于单端正向电路，VDS与设计过程中采用的最大占空比有关。类型:MOSFET沟道类型:n沟道最大耗散功率(Pd):330W漏源电压(Uds):100V漏栅电压(Udg):栅源电压(Ugs):20V最大漏电流(Id):140A最大工作温度(Tj):上升时间(tr):输出电容(Cd)。

IRFB4310不是晶体管，而是带阻尼二极管的NMOS功率场效应晶体管。基本参数为100V、140A、330W，通道最大导通电阻为7 mω。用于UPS电源、高速电源开关等场合。类型:MOSFET沟道类型:n沟道最大耗散功率(Pd):330W漏源电压(Uds):100V漏栅电压(Udg):栅源电压(Ugs):20V最大漏电流(Id):140A最大工作温度(Tj):上升时间(tr):输出电容(Cd)。

场效应晶体管AO3401参数:型号:AO3401漏源电压(VDS): 30v栅源电压(vgs): 12v连续漏电流(I): 4.2a脉冲漏电流(IDM): 30a功耗(PD): 1.4w结温及存储温度范围(TJ、Tstg): 55至150℃漏源击穿电压(BVDSS): 30V零栅电压漏电流(IDSS): 1UA栅漏电流(IGSS): 100NA静态漏源导通电阻():42mΩ正向跨导(GFS): 7s二极管直流电压(VSD): 0.75v输入电容(ciss): 954pf栅极电阻(rg):6ω导通延迟时间(tD(on)。):6.3ns二极管反向恢复时间(TRR): 20.2 ns二极管反向恢复电荷(QRR): 11.2 ncao3401特点:ao3401采用先进的沟槽技术，提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V栅极电压的操作。AO3401适用于负载开关或PWM应用。

对于单端正向电路，VDS与设计过程中采用的最大占空比有关。因为要考虑变压器磁通平衡，所以退磁的伏秒积等于励磁的伏秒积。然后(VDSVIN)*(1Dmax)VIN*Dmax这是VDS的理论最小值，在实际电路中，由于变压器的漏电感，VDS的值会比这个值高。对于双端正激电路，由于电路结构的箝位设计，理论上VDS等于输入电压，最大占空比不能大于0.5。