替代stm32f10x处理器需更换32.768khz晶振

STM32F10x处理器用GD处理器替代时，需要更换32.768KHz的晶振。这几天在研究GD32F330x处理器替换STM32F103x处理器的一些注意事项，其中，用于RTC的32.768KHz外部晶振的性能有明显的差别，据说是因为设计的bug,STM32F103x处理器的LSE的跨导gm仅为5uA/，且不可由寄存器调整。

而在GD的规格书中，其LSE允许的对地电容为15pF。假设LSE两个引脚所连接的匹配电容为CL1,CL2，引脚输入电容为Cin，PCB板的寄生电容为CS，实际负载电容由下述公式计算：CL1*CL2/(CL1CL2)CinCs，一般CL1=CL2，根据GD的规格要求，其典型值为15pF。另外，由规格书得知：Cin=5pF，晶振靠近管脚放置，Cs可取0.5pF。

STM32F103系列芯片，最高工作频率可以到72M，使用8M的外部晶振，一般还需要使用内部的PLL锁相环进行倍频，相比于内部的8M的RC震荡。STM32工作频率是由晶振倍频来的，以STM32F103VBT6为例，晶振是8M，设置PLL倍频为9的话，工作频率为72M，一般ADC电压不超过VCC；如果超过ADC，一方面数据可能出错，另一方面电压超过IO口承受范围造成单片损坏，ADC一般都通过电阻分压后进行转换，很少有人把直接信号直接引入ADC转换，特别是功率信号。

楼上的用起来也有点麻烦，用我这个吧，C文件：#includestm32f4xx.h#includesysclk.hunsignedcharSysClockSet(unsignedcharOSC,unsignedcharClock){unsignedinttemp0,PLLM0,PLLN0,PLLP0,PLLQ0;unsignedintOSC_Sta;unsignedintOSC_VALUEHSI_VALUE;unsignedintOSC_RDYRCC_CR_HSIRDY;unsignedintOSC_ONRCC_CR_HSION;unsignedcharOSC_ERRORHSI_error;unsignedintOSC_OKHSI_OK;unsignedintOSC_SWRCC_CFGR_SW_HSI;unsignedintOSC_SWSRCC_CFGR_SWS_HSI;unsignedintOSC_SRCRCC_PLLCFGR_PLLSRC_HSI;if(OSCHSE){OSC_VAL。