如何量尽性场管?一文看懂

耗尽性场管怎么测量耗尽性场管测量方法有测量阈值电压、测量漏电流、测量输出特性。如何测量n沟道mos管的开启电压和电导常数用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例，1、测量阈值电压：阈值电压是指场效应管导通时所需要的门源电压，也是场效应管工作的重要参数。

朋友，你参考一下下面这些。场效应管的识别方法及测量一、符号：“Q、VT”，场效应管简称ＦＥＴ，是另一种半导体器件，是通过电压来控制输出电流的，是电压控制器件场效应管分三个极：Ｄ极为漏极（供电极）Ｓ极为源极（输出极）Ｇ极为栅极（控制极）Ｄ极和Ｓ极可互换使用场效应管图例：二、场效应管的分类：场效应管按沟道分可分为Ｎ沟道和Ｐ沟道管（在符号图中可看到中间的箭头方向不一样）。

12v，一半来说场效应管驱动电压一般在10～15伏，15伏已经是最高，再看看别人怎么说的。场效应管驱动电压一般在10～15伏，最高电压为15V。交流参数交流参数可分为输出电阻和低频互导2个参数，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间，而低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS，甚至更高。低频跨导gm它是描述栅、源电压对漏极电流的控制作用。

极限参数①最大漏极电流是指管子正常工作时漏极电流允许的上限值，②最大耗散功率是指在管子中的功率，受到管子最高工作温度的限制，③最大漏源电压是指发生在雪崩击穿、漏极电流开始急剧上升时的电压，④最大栅源电压是指栅源间反向电流开始急剧增加时的电压值。除以上参数外，还有极间电容、高频参数等其他参数。漏、源击穿电压当漏极电流急剧上升时，产生雪崩击穿时的UDS。

耗尽性场管测量方法有测量阈值电压、测量漏电流、测量输出特性。1、测量阈值电压：阈值电压是指场效应管导通时所需要的门源电压，也是场效应管工作的重要参数。通过测量耗尽性场管的阈值电压，可以了解其导通特性和工作状态。测量阈值电压需要使用特定的测试仪器或电路，如阈值电压测试仪等。2、测量漏电流：漏电流是指场效应管在截止状态下的漏电流，也是评估场效应管性能的重要指标。

测量漏电流需要使用特定的测试仪器或电路，如直流电压测试仪等。3、测量输出特性：输出特性是指场效应管输出电流与输入电压之间的关系，是评估场效应管性能的重要指标之一。通过测量耗尽性场管的输出特性，可以了解其放大能力和增益特性。测量输出特性需要使用特定的测试仪器或电路，如源极电流测试仪等。

如果不用电路只用万用表测量的话，先用电阻档测，G和S之间，G和D之间的正反向电阻都是无穷大，有短路说明击穿。D和S之间分NMOS和PMOS两种情况，使用二极管档，测量之前先把G和S相连，对于NMOS，红笔接D，黑笔接S，应显示无穷大；红笔接S，黑笔接D，应显示二极管导通压降0.7V左右（MOS寄生二极管效应）；对于PMOS，红笔接S，黑笔接D，应显示无穷大；

如果有显示短路或开路即说明管子损坏。上述是用万用表的基本测量，可以测量管子有无开路和短路。也可以用电路进一步测量管子的控制功能。左边是NMOS，电路如图连接，开关断开时，G极输入低电平，NMOS截止，用电压档测量DS电压应为10V；开关闭合后，G极输入高电平，NMOS导通，测量DS电压应接近0V。右边是PMOS，开关断开时，G极输入高电平，PMOS截止，测量SD电压应为10V；

场效应管的驱动电压是2～4V（极值20V），驱动电流约100nA。场效应晶体管（FieldEffectTransistor缩写(FET)）简称场效应管。主要有两种类型（junctionFETJFET)和金属氧化物半导体场效应管（metaloxidesemiconductorFET，简称MOSFET）。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。

用数字万用表测量MOS管好坏及引脚的方法：以N沟道MOS场效应管为例。一、先确定MOS管的引脚：1、先对MOS管放电，将三个脚短路即可；1、首先找出场效应管的D极（漏极），对于TO252、TO220这类封装的带有散热片的场效应管，它们的散热片在内部是与管子的D极相连的，故我们可用数字万用表的二极管档测量管子的各个引脚，哪个引脚与散热片相连，哪个引脚就是D极。